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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> MMBT3906
MMBT3906 PDF预览

MMBT3906

更新时间： 2024-11-30 22:54:43
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体放大器晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 98K
描述
PNP General Purpose Amplifier

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MMBT3906 数据手册

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M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
MMBT3906  
Features  
·
·
Surface Mount SOT-23 Package  
Capable of 350mWatts of Power Dissipation  
PNP General  
C
Purpose Amplifier  
Pin Configuration  
Top View  
2 A  
B
E
SOT-23  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
A
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
D
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
IBL  
Collector-Emitter Breakdown Voltage*  
(IC=1.0mAdc, IB=0)  
40  
40  
Vdc  
Vdc  
B
C
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=10mAdc, IE=0)  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=10mAdc, IC=0)  
5.0  
Vdc  
F
E
Base Cutoff Current  
50  
50  
nAdc  
nAdc  
(VCE=30Vdc, VBE=3.0Vdc)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=30Vdc, VBE=3.0Vdc)  
ICEX  
H
G
J
ON CHARACTERISTICS  
K
hFE  
DC Current Gain*  
DIMENSIONS  
MM  
(IC=0.1mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=1.0mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=50mAdc, VCE=1.0Vdc)  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
Base-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mAdc, IB=1.0mAdc)  
(IC=50mAdc, IB=5.0mAdc)  
60  
80  
100  
60  
INCHES  
MIN  
300  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
.120  
.098  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
.100  
1.12  
.180  
.51  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
30  
VCE(sat)  
0.25  
0.4  
Vdc  
Vdc  
F
G
H
J
VBE(sat)  
0.65  
250  
0.85  
0.95  
.085  
.37  
K
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS  
Suggested Solder  
Pad Layout  
fT  
Current Gain-Bandwidth Product  
(IC=10mAdc, VCE=20Vdc, f=100MHz)  
Output Capacitance  
(VCB=5.0Vdec, IE=0, f=1.0MHz)  
Input Capacitance  
(VBE=0.5Vdc, IC=0, f=1.0MHz)  
Noise Figure  
(IC=100mAdc, VCE=5.0Vdc, RS=1.0kW  
f=10Hz to 15.7kHz)  
MHz  
pF  
Cobo  
Cibo  
NF  
.031  
.800  
4.5  
.035  
.900  
10.0  
4.0  
pF  
.079  
2.000  
inches  
mm  
dB  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
td  
tr  
Delay Time  
Rise Time  
Storage Time  
Fall Time  
(VCC=3.0Vdc, VBE=0.5Vdc  
IC=10mAdc, IB1=1.0mAdc)  
(VCC=3.0Vdc, IC=10mAdc  
IB1=IB2=1.0mAdc)  
35  
35  
225  
75  
ns  
ns  
ns  
ns  
.037  
.950  
ts  
tf  
.037  
.950  
*Pulse Width £ 300ms, Duty Cycle£ 2.0%  
www.mccsemi.com  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT3906,215 NXP

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 		MMBT3906 - PNP switching transistor TO-236 3-Pin
MMBT3906/E8 VISHAY

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MMBT3906_08 PANJIT

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