Datasheet > MMBT3906_09

MMBT3906_09

更新时间： 2024-02-21 00:44:08

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	102K
描述
Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBT3906_09 数据手册

MMBT3906

Surface Mount Si-Epi-Planar Switching Transistors

Si-Epi-Planar Schalttransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2009-04-02

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

MMBT3906

40 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

40 V

5 V

250 mW ¹)

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

200 mA

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ²)

- I_C= 0.1 mA, - V_CE= 1 V

- I_C= 1 mA, - V_CE= 1 V

- I_C= 10 mA, - V_CE= 1 V

- I_C= 50 mA, - V_CE= 1 V

- I_C= 100 mA,- V_CE= 1 V

h_FE

100

–

300

–

h-Parameters at/bei - V_CE= 10 V, - I_C= 1 mA, f = 1 kHz

Small signal current gain – Kleinsignal-Stromverstärkung

Input impedance – Eingangs-Impedanz

h_fe

h_ie

h_oe

h_re

100

2 kΩ

–

400

12 kΩ

60 µS

10*10^-4

Output admittance – Ausgangs-Leitwert

3 µS

Reverse voltage transfer ratio – Spannungsrückwirkung

0.1*10^-4

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

中文翻译

下载PDF

与MMBT3906_09相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBT3906_1	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3906_10	TSC	获取价格	350mW, PNP Small Signal Transistor
MMBT3906_10	MCC	获取价格	NPN General Purpose Amplifier
MMBT3906_11	MCC	获取价格	PNP General Purpose Amplifier
MMBT3906_14	TSC	获取价格	350mW, PNP Small Signal Transistor
MMBT3906_15	KEXIN	获取价格	PNP Transistors
MMBT3906-13	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
MMBT3906-13-F	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, GREEN,
MMBT3906-3L	BL Galaxy Electrical	获取价格	40V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
MMBT3906-7	DIODES	获取价格	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

与MMBT3906_09相关文章

LM317T数据手册解读：产品特性、应用、封装与引脚详解
2024-06-14

11
一文带你了解?DB3二极管好坏判断、参数信息、替代推荐
2024-06-14

14
LM358DR数据手册：引脚说明、电气参数及替换型号推荐
2024-06-14

8
OP07CP数据手册解读：引脚信息、电子参数
2024-06-14

12

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBT3906_09

MMBT3906_09 数据手册

与MMBT3906_09相关器件

与MMBT3906_09相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBT3906_09

MMBT3906_09 数据手册

与MMBT3906_09相关器件

与MMBT3906_09相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？