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MMBT3906-7-F

更新时间： 2024-11-20 04:39:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 425K
描述
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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MMBT3906-7-F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.55
其他特性：HIGH RELIABILITY最大集电极电流 (IC)：0.2 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHz最大关闭时间（toff）：300 ns
最大开启时间（吨）：70 nsBase Number Matches：1

MMBT3906-7-F 数据手册

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SPICE MODEL: MMBT3906  
MMBT3906  
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
Epitaxial Planar Die Construction  
SOT-23  
·
Complementary NPN Type Available  
(MMBT3904)  
Dim  
A
Min  
0.37  
1.20  
2.30  
0.89  
0.45  
1.78  
2.80  
0.013  
0.903  
0.45  
0.085  
0°  
Max  
0.51  
1.40  
2.50  
1.03  
0.60  
2.05  
3.00  
0.10  
1.10  
0.61  
0.180  
8°  
A
·
·
·
Ideal for Medium Power Amplification and Switching  
Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)  
C
B
C
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability  
B
C
D
TOP VIEW  
B
E
D
Mechanical Data  
E
E
G
G
H
·
Case: SOT-23  
H
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
M
J
J
·
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Terminal Connections: See Diagram  
L
K
L
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
C
M
Lead Free Plating (Matte Tin  
Finish annealed over Alloy 42 leadframe).  
a
All Dimensions in mm  
·
·
·
Marking (See Page 2): K3N  
Ordering & Date Code Information: See Page 2  
Weight: 0.008 grams (approximate)  
E
B
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Characteristic  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
MMBT3906  
-40  
Unit  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
-40  
V
Emitter-Base Voltage  
-5.0  
V
Collector Current - Continuous (Note 1)  
Power Dissipation (Note 1)  
-200  
mA  
mW  
°C/W  
°C  
Pd  
300  
R
qJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage and Temperature Range  
417  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
2. No purposefully added lead.  
DS30059 Rev. 13 - 2  
1 of 4  
MMBT3906  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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MMBT3906-7-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMST3906-7-F DIODES

类似代替

 PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT3906LT3G ONSEMI

功能相似

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MMBT3906LT1G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistor(PNP Silicon)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBT3906-AE3-R UTC

获取价格

 		GENERAL PURPOSE APPLIATION
MMBT3906-AH SWST

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MMBT3906-AL3-R UTC

获取价格

 		GENERAL PURPOSE APPLIATION
MMBT3906-AU PANJIT

获取价格

 		PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT3906-AU_A0_00001 PANJIT

获取价格

 		PNP GENERAL PURPOSE SWITCHING TRANSISTOR
MMBT3906-AU_A0_10001 PANJIT

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