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MMBR911LT1G

更新时间: 2024-09-17 04:14:59
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ADPOW 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 148K
描述
NPN SILICON LOW NOISE, HIGH-FREQUENCY TRANSISTOR

MMBR911LT1G 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.35
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
最大集电极电流 (IC):0.06 A基于收集器的最大容量:1 pF
集电极-发射极最大电压:12 V配置:SINGLE
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):6000 MHzBase Number Matches:1

MMBR911LT1G 数据手册

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MMBR911LT1  
MMBR911LT1G  
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Rev A 9/2005  

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