是否无铅: | 不含铅 | 生命周期: | End Of Life |
零件包装代码: | SOT-23 | 包装说明: | CASE 318-08, 3 PIN |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.14 |
Is Samacsys: | N | 配置: | SINGLE |
FET 技术: | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss): | 2 pF |
JEDEC-95代码: | TO-236AB | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | DEPLETION MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Small Signal | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | AMPLIFIER | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
MMBF5462 | ONSEMI |
类似代替 |
P 沟道通用放大器 | |
MMBF5460 | ONSEMI |
类似代替 |
P 沟道通用放大器 | |
MMBF5460LT1 | ONSEMI |
类似代替 |
JFET General Purpose Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
MMBF5460S62Z | TI |
获取价格 |
P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB | |
MMBF5461 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel General Purpose Amplifier | |
MMBF5461 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道通用放大器 | |
MMBF5461D87Z | TI |
获取价格 |
P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB | |
MMBF5461D87Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SOT-23, | |
MMBF5461L99Z | TI |
获取价格 |
P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB | |
MMBF5461L99Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET | |
MMBF5461S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET | |
MMBF5462 | FAIRCHILD |
获取价格 |
P-Channel General Purpose Amplifier | |
MMBF5462 | ONSEMI |
获取价格 |
P 沟道通用放大器 |