Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBF5460LT1G

MMBF5460LT1G

更新时间： 2024-09-28 03:58:55

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	60K
描述
JFET - General Purpose Transistor P-Channel

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MMBF5460LT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	CASE 318-08, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.14
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	2 pF
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

MMBF5460LT1G 数据手册

MMBF5460LT1

JFET − General Purpose

Transistor

P−Channel

http://onsemi.com

Features

• Pb−Free Package is Available

2 SOURCE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Drain−Gate Voltage

Symbol

Value

Unit

GATE

Vdc

Reverse Gate−Source Voltage

Forward Gate Current

Vdc

GSR

1 DRAIN

mAdc

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation FR−5 Board,

(Note 1) T = 25°C

225

1.8

mW/°C

Derate above 25°C

Thermal Resistance, Junction−to−Ambient

Junction and Storage Temperature

556

°C/W

°C

T , T

−55 to +150

stg

SOT−23 (TO−236)

CASE 318

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are

exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and

reliability may be affected.

STYLE 10

1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.

MARKING DIAGRAM

M6E M G

M6E = Device Code

= Date Code*

= Pb−Free Package

(Note: Microdot may be in either location)

*Date Code orientation and/or overbar may

vary depending upon manufacturing location.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

MMBF5460LT1

SOT−23 3,000 / Tape & Reel

MMBF5460LT1G SOT−23 3,000 / Tape & Reel

(Pb−Free)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2006

Publication Order Number:

February, 2006 − Rev. 2

MMBF5460LT1/D

12 3 4 5

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MMBF5460LT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBF5462	ONSEMI	类似代替	P 沟道通用放大器
MMBF5460	ONSEMI	类似代替	P 沟道通用放大器
MMBF5460LT1	ONSEMI	类似代替	JFET General Purpose Transistor

与MMBF5460LT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBF5460S62Z	TI	获取价格	P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF5461	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel General Purpose Amplifier
MMBF5461	ONSEMI	获取价格	P 沟道通用放大器
MMBF5461D87Z	TI	获取价格	P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF5461D87Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SOT-23,
MMBF5461L99Z	TI	获取价格	P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF5461L99Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
MMBF5461S62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
MMBF5462	FAIRCHILD	获取价格	P-Channel General Purpose Amplifier
MMBF5462	ONSEMI	获取价格	P 沟道通用放大器

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