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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBF5460LT1
MMBF5460LT1 PDF预览

MMBF5460LT1

更新时间： 2024-01-25 14:36:36
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 132K
描述
JFET General Purpose Transistor

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MMBF5460LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.14
Is Samacsys：N配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2 pF
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBF5460LT1 数据手册

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by MMBF5460LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
P–Channel  
2 SOURCE  
3
GATE  
1 DRAIN  
3
MAXIMUM RATINGS  
1
Rating  
Drain–Gate Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
2
V
DG  
40  
40  
10  
Reverse Gate–Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
GSR  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
I
mAdc  
GF  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBF5460LT1 = 6E  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Gate–Source Breakdown Voltage (I = 10 µAdc, V  
= 0)  
V
(BR)GSS  
40  
—
—
Vdc  
G
DS  
Gate Reverse Current  
I
GSS  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 20 Vdc, V  
= 20 Vdc, V  
= 0)  
—
—
—
—
5.0  
1.0  
nAdc  
µAdc  
DS  
DS  
= 0, T = 100°C)  
A
Gate Source Cutoff Voltage (V  
= 15 Vdc, I = 1.0 µAdc)  
V
GS(off)  
0.75  
0.5  
—
—
6.0  
4.0  
Vdc  
Vdc  
DS  
D
Gate Source Voltage (V  
= 15 Vdc, I = 0.1 mAdc)  
V
GS  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current (V  
= 15 Vdc, V  
= 0)  
I
DSS  
–1.0  
—
–5.0  
mAdc  
DS  
GS  
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS  
Forward Transfer Admittance (V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 kHz)  
|Y  
|
1000  
—
—
—
4000  
75  
µmhos  
µmhos  
pF  
GS  
fs  
Output Admittance (V  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 kHz)  
= 0, f = 1.0 MHz)  
|y  
C
|
DS  
GS  
os  
Input Capacitance (V  
= 15 Vdc, V  
—
5.0  
1.0  
20  
7.0  
2.0  
—
DS  
GS  
iss  
rss  
Reverse Transfer Capacitance (V  
= 15 Vdc, V  
= 0, f = 1.0 MHz)  
GS  
C
—
pF  
DS  
Equivalent Short–Circuit Input Noise Voltage  
(V = 15 Vdc, V = 0, R = 1.0 MΩ,  
e
—
n
nV Hz  
DS  
GS  
G
f = 100 Hz, BW = 1.0 Hz)  
1. FR–5 = 1.0 0.75 0.062 in.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Motorola, Inc. 1997  
123456

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MMBF5460LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBF5460 ONSEMI

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 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
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 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, SOT-23,
MMBF5461L99Z TI

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 		P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF5461L99Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel, Silicon, Junction FET
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