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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBF5460
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MMBF5460

更新时间： 2024-01-04 22:19:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体放大器小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 522K
描述
P-Channel General Purpose Amplifier

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MMBF5460 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.1配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：2 pF
JEDEC-95代码：TO-236ABJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
功耗环境最大值：0.225 W最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MMBF5460 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
MMBF5460  
MMBF5461  
2N5460  
2N5461  
2N5462  
G
D
TO-92  
G
SOT-23  
Mark: 6E / 61U  
S
S
D
P-Channel General Purpose Amplifier  
This device is designed primarily for low level audio and general  
purpose applications with high impedance signal sources. Sourced  
from Process 89.  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
-
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VDG  
Drain-Gate Voltage  
- 40  
40  
V
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
IGF  
Forward Gate Current  
10  
mA  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
C
°
TJ ,Tstg  
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Thermal Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Characteristic  
Max  
Units  
2N5460  
*MMBF5460  
PD  
Total Device Dissipation  
Derate above 25 C  
625  
5.0  
350  
2.8  
mW  
mW/ C  
°
°
Thermal Resistance, Junction to Case  
83.3  
Rθ  
C/W  
°
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
200  
357  
Rθ  
C/W  
°
JA  
*Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."  
ã1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567...12

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