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MMBF5484

更新时间： 2024-11-29 11:11:51

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安森美 - ONSEMI		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	321K
描述
N 沟道 RF 晶体管

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MMBF5484 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	0.82	配置：	SINGLE
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	1 pF
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	0.225 W	最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

MMBF5484 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

N-Channel RF Amplifier

MMBF5484, MMBF5485,

MMBF5486

NOTE: Source & Drain

are interchangeable

SOT−23

CASE 318−08

This device is designed primarily for electronic switching

applications such as low On Resistance analog switching. Sourced

from Process 50.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS* (T = 25°C unless otherwise noted)

MARKING DIAGRAM

Symbol

Rating

Drain−Gate Voltage

Value

Unit

6xM

Gate−Source Voltage

−25

Forward Gate Current

°C

6x = Device Code (x = B, M, H)

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

−55 to +150

stg

= Date Code

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

*These rating are limiting values above which the serviceability of any

semiconductor device may be impaired.

1. These rating are based on a maximum junction temperature of 150°C.

2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications

involving pulsed or low duty cycle operations.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

MMBF5484

3000 Tape &

Reel

SOT−23

(Pb−Free)

THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Max

*MMBF5484−5486

Symbol

Characteristic

Unit

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

225

1.8

mW/°C

Thermal Resistance, Junction

to Case

−

°C/W

Thermal Resistance, Junction

to Ambient

556

°C/W

*Device mounted on FR−4 PCB 1.6” x 1.6” x 0.06”.

Publication Order Number:

September, 2021 − Rev. 2

MMBF5486/D

12 3 4 5 6 7...9

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MMBF5484 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
MMBF5486	ONSEMI	类似代替	N 沟道 RF 晶体管
MMBF4416LT1G	ONSEMI	类似代替	JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel

与MMBF5484相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBF5484_NL	FAIRCHILD	获取价格	暂无描述
MMBF5484D87Z	TI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB
MMBF5484L	MOTOROLA	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
MMBF5484L99Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
MMBF5484LT1	MOTOROLA	获取价格	JFET Transistor
MMBF5484LT1	ONSEMI	获取价格	JFET Transistor
MMBF5484LT1_06	ONSEMI	获取价格	JFET Transistor N−Channel
MMBF5484LT1G	ONSEMI	获取价格	JFET Transistor N−Channel
MMBF5484-S00Z	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
MMBF5484S62Z	TI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB

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