Datasheet > MMBF5485

MMBF5485

更新时间： 2023-09-03 20:29:43

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	321K
描述
N 沟道 RF 晶体管

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MMBF5485 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	FET 技术：	JUNCTION
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

MMBF5485 数据手册

DATA SHEET

www.onsemi.com

N-Channel RF Amplifier

MMBF5484, MMBF5485,

MMBF5486

NOTE: Source & Drain

are interchangeable

SOT−23

CASE 318−08

This device is designed primarily for electronic switching

applications such as low On Resistance analog switching. Sourced

from Process 50.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS* (T = 25°C unless otherwise noted)

MARKING DIAGRAM

Symbol

Rating

Drain−Gate Voltage

Value

Unit

6xM

Gate−Source Voltage

−25

Forward Gate Current

°C

6x = Device Code (x = B, M, H)

T , T

Operating and Storage Junction

Temperature Range

−55 to +150

stg

= Date Code

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

*These rating are limiting values above which the serviceability of any

semiconductor device may be impaired.

1. These rating are based on a maximum junction temperature of 150°C.

2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications

involving pulsed or low duty cycle operations.

ORDERING INFORMATION

†

Device

Package

Shipping

MMBF5484

3000 Tape &

Reel

SOT−23

(Pb−Free)

THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

†For information on tape and reel specifications,

including part orientation and tape sizes, please

refer to our Tape and Reel Packaging Specifications

Brochure, BRD8011/D.

Max

*MMBF5484−5486

Symbol

Characteristic

Unit

Total Device Dissipation

Derate above 25°C

225

1.8

mW/°C

Thermal Resistance, Junction

to Case

−

°C/W

Thermal Resistance, Junction

to Ambient

556

°C/W

*Device mounted on FR−4 PCB 1.6” x 1.6” x 0.06”.

Publication Order Number:

September, 2021 − Rev. 2

MMBF5486/D

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

MMBF5485 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SMMBFJ310LT1G	ONSEMI	完全替代	JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
MMBF4416	ONSEMI	类似代替	N沟道RF放大器
MMBF5484	ONSEMI	功能相似	N 沟道 RF 晶体管

与MMBF5485相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MMBF5485D87Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
MMBF5485-HIGH	TI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AA
MMBF5485L99Z	TI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB
MMBF5485L99Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
MMBF5485-NL	FAIRCHILD	获取价格	Transistor
MMBF5485S62Z	FAIRCHILD	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
MMBF5486	ONSEMI	获取价格	N 沟道 RF 晶体管
MMBF5486	FAIRCHILD	获取价格	SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
MMBF5486D87Z	TI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, FET, TO-236AB
MMBF5486-HIGH	TI	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AA

与MMBF5485相关文章

MBRS340T3G手册解读：参数说明、产品特性及应用
2024-06-28

7
PMOS管背靠背连接：串联还是并联？
2024-06-28

7
高压电解电容的分类与选型策略
2024-06-28

8
数码管：基本概念、分类、技术发展及市场趋势
2024-06-27

14

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBF5485

MMBF5485 技术参数

MMBF5485 数据手册

MMBF5485 替代型号

与MMBF5485相关器件

与MMBF5485相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

MMBF5485

MMBF5485 技术参数

MMBF5485 数据手册

MMBF5485 替代型号

与MMBF5485相关器件

与MMBF5485相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？