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MMBF4416 PDF预览

MMBF4416

更新时间： 2024-11-26 11:12:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 189K
描述
N沟道RF放大器

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MMBF4416 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：0.65配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：0.9 pF
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
最小功率增益 (Gp)：18 dB认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBF4416 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
RF Amplifiers, N-Channel  
MMBF4416  
SOT−23  
CASE 318−08  
Features  
• This Device is Designed for RF Amplifiers  
• Sourced from Process 50  
• This is a Pb−Free and Halide Free Device  
MARKING DIAGRAM  
3
1: Drain  
2: Source  
3: Gate  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
6AMG  
G
Symbol  
Parameter  
Drain−Gate Voltage  
Value  
30  
Unit  
V
V
DG  
V
GS  
I
2
1
Gate−Source Voltage  
−30  
V
Forward Gate Current  
10  
mA  
_C  
6A = Specific Device Code  
GF  
M
G
= Date Code  
= Pb−Free Package  
T , T  
Junction and Storage Temperature  
Range  
−55 to +150  
J
STG  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
MMBF4416  
Package  
Shipping  
3000 /  
Tape & Reel  
THERMAL CHARACTERISTICS  
A
(T = 25°C unless otherwise noted.) (Note 1)  
SOT−23  
(Pb−Free/  
Halide Free)  
Symbol  
Parameter  
Max  
Unit  
P
Total Device Dissipation Derate above  
225  
1.8  
mW  
D
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
25_C  
mW/_C  
R
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
556  
°C/W  
q
JA  
1. Device mounted on FR−4 PCB 1.6″ × 1.6″ × 0.06″.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted.)  
A
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
V
Gate−Source Breakdown Voltage  
V
DS  
= 0, I = 1 mA  
−30  
−
−
V
(BR)GSS  
G
I
Gate Reverse Current  
V
GS  
V
GS  
= −20 V, V = 0  
−
−
−
−
−1  
−200  
nA  
nA  
GSS  
DS  
= −20 V, V = 0, T = 150°C  
DS  
A
V
(off)  
Gate Source Cut−off Voltage  
V
DS  
V
DS  
= 15 V, I = 1 nA  
−2.5  
−1  
−
−
−6  
V
V
GS  
D
V
Gate Source Voltage  
= 15 V, I = 0.5 mA  
−5.5  
GS  
D
ON CHARACTERISTICS  
I
Zero−Gate Voltage Drain Current  
Gate−Source Forward Voltage  
V
V
= 15 V, V = 0  
5
−
−
15  
1
mA  
V
DSS  
GS  
GS  
V
GS  
(f)  
= 0, I = 1 mA  
−
DS  
G
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
lY l  
Forward Transfer Admittance  
Output Admittance  
V
DS  
V
DS  
V
DS  
V
DS  
V
DS  
= 15 V, V = 0, f = 1 kHz  
4500  
−
−
−
−
−
7500  
50  
4
mmhos  
mmhos  
pF  
fs  
GS  
ly  
l
= 15 V, V = 0, f = 1 kHz  
−
−
−
−
os  
GS  
C
Input Capacitance  
= 15 V, V = 0, f = 1 MHz  
GS  
iss  
rss  
oss  
C
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
= 15 V, V = 0, f = 1 MHz  
0.9  
2
pF  
GS  
C
= 15 V, V = 0, f = 1 MHz  
pF  
GS  
FUNCTIONAL CHARACTERISTICS  
NF  
Noise Figure  
V
V
= 15 V, I = 5 mA, R = 100 W, f = 100 MHz  
−
−
−
2
dB  
dB  
DS  
D
g
G
Common Source Power Gain  
= 15 V, I = 5 mA, R = 100 W, f = 100 MHz  
18  
−
ps  
DS  
D
g
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
January, 2022 − Rev. 2  
MMBF4416/D  
 
1234

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