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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 配置： | SINGLE |
| FET 技术： | JUNCTION | 最大反馈电容 (Crss)： | 8 pF |
| JEDEC-95代码： | TO-236AB | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.35 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBF5103 | ONSEMI |
获取价格 |
N沟道低频低噪声放大器 |
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| MMBF5103 | FAIRCHILD |
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N-Channel Switch |
|
| MMBF5103D87Z | TI |
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N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
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| MMBF5103L99Z | TI |
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TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, FET General Purpose Small Signal |
|
| MMBF5103S62Z | TI |
获取价格 |
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
|
| MMBF5114 | TI |
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P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
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| MMBF5115 | TI |
获取价格 |
P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
|
| MMBF5116 | TI |
获取价格 |
P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
|
| MMBF5434 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Switch |
|
| MMBF5434 | ONSEMI |
获取价格 |
N沟道开关 |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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