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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> MMBF5457LT1
MMBF5457LT1 PDF预览

MMBF5457LT1

更新时间： 2024-11-24 22:46:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 107K
描述
JFET - General Purpose Transistor

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MMBF5457LT1 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：SOT-23包装说明：CASE 318-08, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：25 VFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：3 pFJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBF5457LT1 数据手册

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by MMBF5457LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel  
2 SOURCE  
3
GATE  
3
1 DRAIN  
1
2
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
DS  
25  
25  
25  
10  
Drain–Gate Voltage  
V
DG  
Vdc  
Reverse Gate–Source Voltage  
Gate Current  
V
GS(r)  
Vdc  
I
G
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBF5457LT1 = 6D  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
25  
—
—
Vdc  
(BR)GSS  
(I = 10 µAdc, V  
= 0)  
G
DS  
Gate Reverse Current  
I
nAdc  
GSS  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 15 Vdc, V  
= 15 Vdc, V  
= 0)  
—
—
—
—
1.0  
200  
DS  
DS  
= 0, T = 100°C)  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 10 nAdc)  
V
0.5  
—
–6.0  
—
Vdc  
Vdc  
GS(off)  
DS  
Gate Source Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 100 µAdc)  
D
V
GS  
—
–2.5  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
(2)  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
1.0  
—
5.0  
mAdc  
DSS  
(V  
DS  
= 15 Vdc, V  
= 0)  
GS  
1. FR–5 = 1.0  
0.75 0.062 in.  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 630 ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Motorola, Inc. 1996  
123456

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MMBF5457LT1 替代型号

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