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MMBF5457LT3 PDF预览

MMBF5457LT3

更新时间： 2024-11-28 20:54:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 137K
描述
25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN

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MMBF5457LT3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.26配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：25 VFET 技术：JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：3 pFJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBF5457LT3 数据手册

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ON Semiconductort  
JFET - General Purpose  
Transistor  
MMBF5457LT1  
N–Channel  
3
1
2
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
25  
Unit  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
DS  
DG  
Drain–Gate Voltage  
V
25  
Vdc  
Reverse Gate–Source Voltage  
Gate Current  
V
25  
Vdc  
2 SOURCE  
GS(r)  
I
G
10  
mAdc  
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
GATE  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
D
225  
mW  
T = 25°C  
A
1 DRAIN  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
q
JA  
T , T  
–55 to +150  
J
stg  
MMBF5457LT1 = 6D  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
25  
–
–
Vdc  
(BR)GSS  
(I = 10 µAdc, V = 0)  
G
DS  
Gate Reverse Current  
(V = 15 Vdc, V = 0)  
I
nAdc  
GSS  
–
–
–
–
1.0  
200  
GS  
DS  
(V = 15 Vdc, V = 0, T = 100°C)  
GS  
DS  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 10 nAdc)  
V
0.5  
–
–6.0  
–
Vdc  
Vdc  
GS(off)  
DS  
D
Gate Source Voltage  
(V = 15 Vdc, I = 100 µAdc)  
V
GS  
–
–2.5  
DS  
D
ON CHARACTERISTICS  
(2)  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
1.0  
–
5.0  
mAdc  
DSS  
(V = 15 Vdc, V = 0)  
DS  
GS  
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 630 ms, Duty Cycle ≤ 10%.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
518  
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 1  
MMBF5457LT1/D  
123

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