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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CASE 318-07, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.7 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | FET 技术： | JUNCTION |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 3 pF | JEDEC-95代码： | TO-236AB |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.225 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.225 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MMBF5457L99Z | TI |
获取价格 |
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
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| MMBF5457L99Z | FAIRCHILD |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
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| MMBF5457LT1 | MOTOROLA |
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JFET - General Purpose Transistor |
|
| MMBF5457LT1 | ONSEMI |
获取价格 |
JFET - General Purpose Transistor |
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| MMBF5457LT1G | ONSEMI |
获取价格 |
JFET - General Purpose Transistor N-Channel |
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| MMBF5457LT3 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 25V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO |
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| MMBF5457LT3 | ONSEMI |
获取价格 |
25V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-08, 3 PIN |
|
| MMBF5457S62Z | TI |
获取价格 |
N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
|
| MMBF5457S62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET |
|
| MMBF5458 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道通用放大器 |
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