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MMBF5457 PDF预览

MMBF5457

更新时间： 2024-11-26 11:13:31
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器PC开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 1696K
描述
N沟道通用放大器

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MMBF5457 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
Factory Lead Time：43 weeks 1 day风险等级：0.87
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：978667Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：TransistorSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：MMBF5457-1Samacsys Released Date：2019-01-15 14:16:10
Is Samacsys：N配置：SINGLE
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：3 pF
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.225 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

MMBF5457 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
G
N-Channel General Purpose  
Amplifier  
D
S
NOTE: Source & Drain  
are interchangeable  
MMBF5457  
This device is a low level audio amplifier and switching transistors,  
and can be used for analog switching applications. Sourced  
from Process 55.  
SOT−23  
CASE 318−08  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS* (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
MARKING DIAGRAM  
Symbol  
Rating  
Drain−Gate Voltage  
Value  
25  
Unit  
V
V
V
DG  
GS  
GF  
6DM  
Gate−Source Voltage  
−25  
V
1
I
Forward Gate Current  
10  
mA  
°C  
T , T  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
−55 to +150  
6D = Device Code  
J
stg  
M
= Date Code  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
*These rating are limiting values above which the serviceability of any  
semiconductor device may be impaired.  
1. These rating are based on a maximum junction temperature of 150°C.  
2. These are steady state limits. The factory should be consulted on applications  
involving pulsed or low duty cycle operations.  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
MMBF5457  
Package  
Shipping  
3000 /  
Tape & Reel  
SOT−23  
(Pb−Free,  
Halide Free)  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
Max  
*MMBF5457  
Symbol  
Characteristic  
Unit  
P
D
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
350  
2.8  
mW  
mW/°C  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Case  
−
°C/W  
q
JC  
JA  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
556  
°C/W  
q
*Device mounted on FR−4 PCB 1.6” x 1.6” x 0.06”.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 1997  
1
Publication Order Number:  
January, 2023 − Rev. 1  
MMBF5457/D  
12345678

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MMBF5457 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBF5458 ONSEMI

完全替代

 N 沟道通用放大器
MMBF5434 ONSEMI

功能相似

 N沟道开关

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBF5457_NL FAIRCHILD

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