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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MMBF4416LT1
MMBF4416LT1 PDF预览

MMBF4416LT1

更新时间： 2024-02-27 05:24:25
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 295K
描述
JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

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MMBF4416LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：CASE 318-08, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：0.8 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：10 dB
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

MMBF4416LT1 数据手册

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by MMBF4416LT1/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
N–Channel  
Motorola Preferred Device  
2 SOURCE  
3
GATE  
3
1 DRAIN  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
V
30  
30  
30  
10  
DS  
DG  
GS  
Drain–Gate Voltage  
V
V
Vdc  
Gate–Source Voltage  
Vdc  
Gate Current  
I
G
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
JA  
T , T  
J stg  
–55 to +150  
MMBF4416LT1 = M6A  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
30  
—
Vdc  
(BR)GSS  
(I = 1.0 µAdc, V  
= 0)  
G
DS  
Gate Reverse Current  
I
nAdc  
GSS  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 20 Vdc, V  
= 20 Vdc, V  
= 0)  
—
—
1.0  
200  
DS  
DS  
= 0, T = 150°C)  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
V
—
–6.0  
–5.5  
Vdc  
Vdc  
GS(off)  
(I = 1.0 nAdc, V  
= 15 Vdc)  
= 15 Vdc)  
DS  
D
DS  
Gate Source Voltage  
(I = 0.5 mAdc, V  
V
GS  
–1.0  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
5.0  
—
15  
mAdc  
Vdc  
DSS  
(V  
GS  
= 15 Vdc, V  
= 0)  
GS  
Gate–Source Forward Voltage  
(I = 1.0 mAdc, V = 0)  
V
1.0  
GS(f)  
G
DS  
0.75 0.062 in.  
1. FR–5 = 1.0  
Thermal Clad is a trademark of the Bergquist Company  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
Motorola, Inc. 1996  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBF4416LT1_06 ONSEMI

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 		JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
MMBF4416LT1G ONSEMI

获取价格

 		JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
MMBF4856L MOTOROLA

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN
MMBF4856LT1 MOTOROLA

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 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
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