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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> MMBF4416LT1
MMBF4416LT1 PDF预览

MMBF4416LT1

更新时间： 2024-01-11 05:55:20
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体放大器晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 176K
描述
JFET VHF/UHF Amplifier Transistor

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MMBF4416LT1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT-23
包装说明：CASE 318-08, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：30 V
FET 技术：JUNCTION最大反馈电容 (Crss)：0.8 pF
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：NOT SPECIFIED元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最小功率增益 (Gp)：10 dB
认证状态：COMMERCIAL表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON

MMBF4416LT1 数据手册

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ON Semiconductort  
JFET  
VHF/UHF Amplifier Transistor  
N–Channel  
MMBF4416LT1  
ON Semiconductor Preferred Device  
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Drain–Source Voltage  
Symbol  
Value  
30  
Unit  
Vdc  
1
V
DS  
DG  
GS  
2
Drain–Gate Voltage  
V
V
30  
Vdc  
Gate–Source Voltage  
30  
Vdc  
CASE 318–08, STYLE 10  
SOT–23 (TO–236AB)  
Gate Current  
I
G
10  
mAdc  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Total Device Dissipation FR–5 Board  
P
225  
mW  
D
T
A
= 25°C  
2 SOURCE  
Derate above 25°C  
1.8  
556  
mW/°C  
°C/W  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Junction and Storage Temperature  
DEVICE MARKING  
R
qJA  
3
GATE  
T , T  
J
–55 to +150  
stg  
MMBF4416LT1 = M6A  
1 DRAIN  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
OFF CHARACTERISTICS  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
Gate–Source Breakdown Voltage  
V
30  
—
Vdc  
(BR)GSS  
(I = 1.0 µAdc, V  
DS  
= 0)  
G
Gate Reverse Current  
I
nAdc  
GSS  
(V  
GS  
(V  
GS  
= 20 Vdc, V  
= 20 Vdc, V  
= 0)  
—
—
1.0  
200  
DS  
DS  
= 0, T = 150°C)  
A
Gate Source Cutoff Voltage  
V
—
–6.0  
–5.5  
Vdc  
Vdc  
GS(off)  
(I = 1.0 nAdc, V  
= 15 Vdc)  
= 15 Vdc)  
DS  
D
DS  
Gate Source Voltage  
(I = 0.5 mAdc, V  
V
GS  
–1.0  
D
ON CHARACTERISTICS  
Zero–Gate–Voltage Drain Current  
I
5.0  
—
15  
mAdc  
Vdc  
DSS  
(V  
GS  
= 15 Vdc, V  
= 0)  
GS  
Gate–Source Forward Voltage  
(I = 1.0 mAdc, V = 0)  
V
1.0  
GS(f)  
G
DS  
1. FR–5 = 1.0 ꢀ 0.75 ꢀ 0.062 in.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
November, 2001 – Rev. 2  
MMBF4416LT1/D  
12345678

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MMBF4416LT1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MMBF4416LT1G ONSEMI

完全替代

 JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
MMBF5484 ONSEMI

类似代替

 N 沟道 RF 晶体管
MMBF5485 FAIRCHILD

功能相似

 SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers

与MMBF4416LT1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MMBF4416LT1_06 ONSEMI

获取价格

 		JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
MMBF4416LT1G ONSEMI

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 		JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
MMBF4856L MOTOROLA

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN
MMBF4856LT1 MOTOROLA

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF4856LT3 MOTOROLA

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF4859 TI

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF4860 NSC

获取价格

 		TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, FET General Purpose Small Signal
MMBF4860 TI

获取价格

 		N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
MMBF4860 MOTOROLA

获取价格

 		Transistor
MMBF4860L MOTOROLA

获取价格

 		30V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB, CASE 318-07, 3 PIN

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