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MMBF4416A_S00Z

更新时间： 2024-02-02 22:41:42
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
4页 46K
描述
Transistor

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MMBF4416A_S00Z 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.59Is Samacsys：N
FET 技术：JUNCTION最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.225 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

MMBF4416A_S00Z 数据手册

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March 2005  
MMBF4416A  
N-Channel RF Amplifier  
•
•
This device is designed for RF amplifiers.  
Sourced from process 50.  
G
S
SOT-23  
D
Mark: 6BG  
Absolute Maximum Ratings* Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
35  
Units  
V
VDG  
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
VGS  
-35  
V
IGF  
10  
mA  
°C  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
- 55 ~ 150  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V(BR)GSS Gate-Source Breakdown Voltage  
VDS = 0, IG = 1.0µA  
-35  
V
pA  
V
IGSS  
Gate Reverse Current  
Gate Source Cut-off Voltage  
Gate Source Voltage  
VGS = -20V, VDS = 0  
VDS = 15V, ID = 1.0nA  
VDS = 15V, ID = 500µA  
-100  
-6.0  
-5.5  
VGS(off)  
-2.5  
-1  
VGS  
V
On Characteristics  
IDSS Zero-Gate Voltage Drain Current  
GS(f) Gate-Source Forward Voltage  
Small Signal Characteristics  
VGS = 15V, VGS = 0  
VDS = 0, IG = 1.0mA  
5
15  
1
mA  
V
V
gfs  
Forward Transfer Conductance *  
VDS = 15V, VGS = 0, f = 1.0kHz  
VDS = 15V, VGS = 0, f = 1.0kHz  
VDS = 15V, VGS = 0, f = 1.0MHz  
4500  
7500  
50  
µmhos  
µmhos  
pF  
gos  
Output Conductance *  
Input Capacitance  
Ciss  
Crss  
Coss  
NF  
4.0  
0.8  
2.0  
4.0  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
Noise Figure  
V
DS = 15V, VGS = 0, f = 1.0MHz  
VDS = 15V, VGS = 0, f = 1.0MHz  
DS = 15V, VGS = 0, ID = 5mA,  
pF  
pF  
V
dB  
Rg = 1kΩ, f = 400MHz  
* Pulse Test: Pulse Width ≤ 300ms, Duty Cycle ≤ 2%  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
MMBF4416A Rev. A2  
1
www.fairchildsemi.com  
1234

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