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MJF6668

更新时间： 2024-11-18 22:33:03
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
8页 341K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS 40 WATTS

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MJF6668 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.81
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：10 A基于收集器的最大容量：300 pF
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：PNP功耗环境最大值：40 W
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：20 MHz
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

MJF6668 数据手册

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by MJF6388/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
For Isolated Package Applications  
*Motorola Preferred Devices  
Designed for general–purpose amplifiers and switching applications, where the  
mounting surface of the device is required to be electrically isolated from the heatsink  
or chassis.  
COMPLEMENTARY  
SILICON  
POWER DARLINGTONS  
10 AMPERES  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
Isolated Overmold Package, TO–220 Type  
Electrically Similar to the Popular 2N6388, 2N6668, TIP102 and TIP107  
100 VOLTS  
40 WATTS  
100 V  
CEO(sus)  
10 A Rated Collector Current  
No Isolating Washers Required  
Reduced System Cost  
High DC Current Gain — 1000 (Min) @ I = 5.0 Adc  
C
High Isolation Voltage (up to 4500 VRMS)  
Case 221D is UL Recognized at 3500 VRMS: File #E69369  
CASE 221D–02  
UL RECOGNIZED  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
100  
Vdc  
CEO  
V
100  
5.0  
Vdc  
Vdc  
V
CB  
EB  
V
RMS Isolation Voltage (1)  
(for 1 sec, R.H. < 30%, T = 25 C)  
A
Test No. 1 Per Figure 14  
Test No. 2 Per Figure 15  
Test No. 3 Per Figure 16  
V
ISOL  
4500  
3500  
1500  
Collector Current — Continuous  
— Peak(2)  
I
10  
15  
Adc  
Adc  
C
Base Current  
I
1.0  
B
Total Power Dissipation* @ T = 25 C  
C
Derate above 25 C  
P
D
40  
0.31  
Watts  
W/ C  
Total Power Dissipation @ T = 25 C  
A
Derate above 25 C  
P
D
2.0  
0.016  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–65 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case*  
R
R
3.2  
C/W  
θJC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Lead Temperature for Soldering Purpose  
62.5  
260  
C/W  
C
θJA  
T
L
(1) Proper strike and creepage distance must be provided.  
(2) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle  
10%.  
* Measurementmadewiththermocouplecontactingthebottominsulatedmountingsurfaceofthepackage(inalocationbeneaththedie),thedevice  
mounted on a heatsink, thermal grease applied and a mounting torque of 6 to 8 in lbs.  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 3  
Motorola, Inc. 1995
12345678

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与MJF6668相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJF6668G ONSEMI

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 		COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTONS 10 AMPERES 100 VOLTS, 40 WATTS
MJH10012 ISC

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 		Silicon NPN Power Transistors
MJH10012 SAVANTIC

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 		Silicon NPN Power Transistors
MJH10012 ONSEMI

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 		POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON
MJH10012 NJSEMI

获取价格

 		Trans Darlington NPN 400V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-218
MJH11017 ONSEMI

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 		DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11017 MOTOROLA

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 		15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150 WATTS
MJH11017 NJSEMI

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 		Trans Darlington PNP 150V 15A 3-Pin(3+Tab) SOT-93 Rail
MJH11017_06 ONSEMI

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 		15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATT
MJH11017G ONSEMI

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 		15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATT

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