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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJH10012
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MJH10012

更新时间： 2024-02-24 08:28:48
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 194K
描述
POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON

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MJH10012 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-218包装说明：CASE 340D-02, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.46外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：10 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-218JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：COMMERCIAL
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MJH10012 数据手册

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by MJ10012/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
10 AMPERE  
POWER TRANSISTORS  
DARLINGTON NPN  
SILICON  
The MJ10012 and MJH10012 are high–voltage, high–current Darlington transistors  
designed for automotive ignition, switching regulator and motor control applications.  
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
= 400 Vdc (Min)  
COLLECTOR  
V
400 VOLTS  
CEO(sus)  
•
•
175 Watts Capability at 50 Volts  
Automotive Functional Tests  
175 AND 118 WATTS  
BASE  
≈
1 k  
≈
30  
EMITTER  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
CASE 1–07  
TO–204AA  
(TO–3)  
Symbol  
MJ10012  
MJH10012  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Collector–Emitter Voltage  
V
V
400  
550  
CEO  
MJ10012  
Collector–Emitter Voltage  
CER  
(R  
= 27 Ω)  
BE  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
V
600  
8.0  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CBO  
EBO  
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
10  
15  
Base Current  
I
B
2.0  
Adc  
Total Power Dissipation  
P
D
@ T = 25 C  
175  
100  
1.0  
118  
47.5  
1.05  
Watts  
Watts  
W/ C  
C
@ T = 100 C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–65 to +200 –55 to +150  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
C/W  
C
CASE 340D–01  
TO–218 TYPE  
MJH10012  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
1.0  
0.95  
275  
θJC  
Maximum Lead Temperature for  
Soldering Purposes: 1/8″ from  
Case for 5 Seconds  
T
L
275  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle  
10%.  
REV 2  
Motorola, Inc. 1995
123456

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MJH10012 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BU323AP ONSEMI

完全替代

 DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS 125 WATTS
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