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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> MJH11022
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MJH11022

更新时间： 2024-11-02 22:30:07
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
6页 197K
描述
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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MJH11022 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：TO-218包装说明：CASE 340D-02, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.27
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：15 A集电极-发射极最大电压：250 V
配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JEDEC-95代码：TO-218JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：150 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：3 MHz
Base Number Matches：1

MJH11022 数据手册

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by MJH11017/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
. . . designed for use as general purpose amplifiers, low frequency switching and  
motor control applications.  
•
•
High DC Current Gain @ 10 Adc — h  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
= 400 Min (All Types)  
FE  
V
V
V
= 150 Vdc (Min) — MJH11018, 17  
= 200 Vdc (Min) — MJH11020, 19  
= 250 Vdc (Min) — MJH11022, 21  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
CEO(sus)  
•
•
Low Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
V
= 1.2 V (Typ) @ I = 5.0 A  
CE(sat)  
CE(sat)  
C
= 1.8 V (Typ) @ I = 10 A  
C
Monolithic Construction  
MAXIMUM RATINGS  
*Motorola Preferred Device  
MJH  
11018  
11017  
11020  
11019  
11022  
11021  
15 AMPERE  
DARLINGTON  
COMPLEMENTARY SILICON  
POWER TRANSISTORS  
150, 200, 250 VOLTS  
150 WATTS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
150  
150  
200  
200  
5.0  
250  
250  
V
CB  
EB  
V
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
15  
30  
Base Current  
I
B
0.5  
Adc  
Total Device Dissipation @ T = 25 C  
C
Derate Above 25 C  
P
D
150  
1.2  
Watts  
W/ C  
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
J stg  
–65 to +150  
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance. Junction to Case  
R
θJC  
10%.  
0.83  
C/W  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle  
CASE 340D–02  
160  
140  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
C)  
140  
160  
T
, CASE TEMPERATURE (  
°
C
Figure 1. Power Derating  
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.  
REV 1  
Motorola, Inc. 1996
123456

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MJH11022 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJH11022G ONSEMI

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 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATT
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJH11022G ONSEMI

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 		15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATT
MJH12004 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-218, Plastic/Epoxy, 3 Pin
MJH12005 MOTOROLA

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 		8A, 750V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
MJH13090 MOTOROLA

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 		15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS
MJH13090 ISC

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 		isc Silicon NPN Power Transistors
MJH13090 NJSEMI

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 		Trans GP BJT NPN 500V 8A 3-Pin(3+Tab) SOT-93
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 		15 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTORS
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 		Trans GP BJT NPN 500V 8A 3-Pin(3+Tab) SOT-93
MJH16002 MOSPEC

获取价格

 		POWER TRANSISTORS(5A,450V,100W)

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