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BU323AP

更新时间： 2024-11-10 22:27:59
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 205K
描述
DARLINGTON NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS 125 WATTS

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BU323AP 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-218包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：10 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：50JEDEC-95代码：TO-218
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：125 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

BU323AP 数据手册

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by BU323AP/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
DARLINGTON  
NPN SILICON  
POWER TRANSISTOR  
400 VOLTS  
The BU323AP is a monolithic darlington transistor designed for automotive ignition,  
switching regulator and motor control applications.  
125 WATTS  
•
Collector–Emitter Sustaining Voltage —  
= 475 Vdc  
COLLECTOR  
V
CER(sus)  
125 Watts Capability at 50 Volts  
Sat Specified at –40 C = 2.0 V Max. at I = 6.0 A  
•
•
•
V
CE  
C
Photoglass Passivation for Reliability and Stability  
BASE  
≈
1 k  
≈
30  
EMITTER  
CASE 340D–02  
TO–218 TYPE  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Emitter Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
400  
475  
6.0  
CEO(sus)  
V
CEV  
V
EB  
Collector Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
C
10  
16  
I
CM  
Base Current — Continuous  
— Peak (1)  
I
3.0  
Adc  
B
I
BM  
Total Power Dissipation — T = 25 C  
P
D
125  
100  
1.0  
Watts  
Watts  
W/ C  
C
— T = 100 C  
C
Derate above 25 C  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
T , T  
–65 to +200  
C
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
1.0  
Unit  
C/W  
C
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
θJC  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes:  
1/8″ from Case for 5 Seconds  
T
L
275  
(1) Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle  
10%.  
REV 8  
Motorola, Inc. 1996
123456

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BU323AP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJH10012 ONSEMI

完全替代

 POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON
BU931P STMICROELECTRONICS

功能相似

 HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON
BU941P STMICROELECTRONICS

功能相似

 HIGH VOLTAGE IGNITION COIL DRIVER NPN POWER DARLINGTON

与BU323AP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BU323AP/D ETC

获取价格

 		NPN Silicon Darlington Power Transistor
BU323P ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 200V V(BR)CEO | 50A I(C) | TO-218
BU323Z MOTOROLA

获取价格

 		AUTOPROTECTED DARLINGTON 10 AMPERES 360-450 VOLTS CLAMP 150 WATTS
BU323Z ONSEMI

获取价格

 		AUTOPROTECTED DARLINGTON 10 AMPERES 360-450 VOLTS CLAMP 150 WATTS
BU323Z/D ETC

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 		NPN Silicon Power Darlington
BU323Z_06 ONSEMI

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 		NPN Silicon Power Darlington High Voltage Autoprotected
BU323Z_09 ONSEMI

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 		NPN Silicon Power Darlington
BU323ZG ONSEMI

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 		NPN Silicon Power Darlington
BU-32-4 ETC

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 		Insulator for Mini Alligator Clip
BU325 STMICROELECTRONICS

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 		HIGH VOLTAGE SWITCH

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