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BU325

更新时间: 2024-01-09 18:36:32
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
页数 文件大小 规格书
4页 147K
描述
HIGH VOLTAGE SWITCH

BU325 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.92
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):3 A基于收集器的最大容量:50 pF
集电极-发射极最大电压:200 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):30JEDEC-95代码:TO-126
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:25 W最大功率耗散 (Abs):1.2 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):40 MHz
VCEsat-Max:1.5 VBase Number Matches:1

BU325 数据手册

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