BU326

更新时间： 2024-02-10 16:29:45

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2页	58K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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BU326 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	6 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	3.5
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

BU326 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

BU326

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: V_CEO(SUS)= 375V(Min)

·Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 1.5V(Max.) @ I_C= 2.5A

APPLICATIONS

·Designed for use in operating in color TV receivers chopper

supplies.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

800

375

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

Base Current-Continuous

I_CM

I_B

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

200

-65~200

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance, Junction to Case

2.33

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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