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| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.13 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JEDEC-95代码： | TO-126 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 2 MHz |
| VCEsat-Max： | 2.5 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| MJE802G | ONSEMI |
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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
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获取价格 |
SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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| MJE802F | NJSEMI |
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| MJE802G | ONSEMI |
获取价格 |
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| MJE802G | ROCHESTER |
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4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN |
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| MJE802LEADFREE | CENTRAL |
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| MJE802STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE802T | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| MJE802T | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
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| MJE802T | CENTRAL |
获取价格 |
4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington |
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| MJE802T | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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