5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | TO-225 | 包装说明： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.15 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 | JEDEC-95代码： | TO-225 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE802LEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| MJE802STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
|
| MJE802T | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
|
| MJE802T | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
|
| MJE802T | CENTRAL |
获取价格 |
4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington |
|
| MJE802T | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
|
| MJE803 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
|
| MJE803 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
|
| MJE803 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
|
| MJE803 | MOTOROLA |
获取价格 |
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
