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MJE802LEADFREE

更新时间： 2024-11-26 19:44:03
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CENTRAL 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 35K
描述
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin,

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MJE802LEADFREE 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.15最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：80 V配置：DARLINGTON
最小直流电流增益 (hFE)：750JEDEC-95代码：TO-126
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN (315)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：1 MHzBase Number Matches：1

MJE802LEADFREE 数据手册

  
Power Transistors  
TO-126 Case (Continued)  
Top View  
Bottom View  
TYPE NO.  
I
P
(W)  
BV  
(V)  
BV  
(V)  
h
@ I  
(mA)  
V
@ I  
(A)  
f
T
(MHz)  
C
D
CBO  
CEO  
FE  
C
CE(SAT)  
(V)  
C
(A)  
NPN  
PNP  
MAX  
3.0  
3.0  
3.0  
5.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
0.5  
0.5  
0.5  
3.0  
4.0  
1.5  
1.5  
1.5  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
0.3  
0.3  
MIN  
60  
MIN  
40  
MIN MAX  
MAX  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
0.3  
- -  
MIN  
50  
50  
50  
65  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
40  
40  
40  
40  
40  
- -  
MJE180  
MJE181  
MJE182  
MJE200  
MJE220  
MJE221  
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MJE241  
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MJE243  
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MJE340  
MJE341  
MJE344  
MJE520  
MJE521  
MJE720  
MJE721  
MJE722  
MJE800  
MJE801  
MJE802  
MJE803  
MJE3439  
MJE3440  
MJE170  
MJE171  
MJE172  
MJE210  
MJE230  
MJE231  
MJE232  
MJE233  
MJE234  
MJE235  
MJE250  
MJE251  
MJE252  
MJE253  
MJE254  
MJE350  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
15  
20  
20  
20  
25  
40  
20  
20  
20  
40  
40  
40  
40  
15  
15  
50  
50  
50  
45  
40  
40  
25  
40  
40  
25  
40  
40  
25  
40  
25  
30  
25  
30  
25  
40  
40  
40  
40  
750  
750  
750  
750  
50  
50  
250  
250  
250  
180  
200  
150  
- -  
100  
100  
100  
2,000  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
50  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
- -  
80  
60  
100  
40  
80  
25  
60  
40  
60  
40  
60  
40  
80  
60  
200  
150  
- -  
80  
60  
80  
60  
80  
80  
200  
120  
- -  
80  
80  
80  
80  
100  
100  
300  
175  
200  
30  
100  
100  
300  
150  
200  
30  
120  
- -  
240  
200  
300  
- -  
50  
2.3  
1.0  
- -  
0.15  
0.05  
- -  
15  
15  
- -  
50  
MJE370  
MJE371  
MJE710  
MJE711  
MJE712  
MJE700  
MJE701  
MJE702  
MJE703  
1,000  
1,000  
150  
150  
150  
1,500  
2,000  
1,500  
2,000  
20  
40  
40  
- -  
- -  
- -  
- -  
40  
40  
- -  
1.0  
1.0  
1.0  
2.5  
2.8  
2.5  
2.8  
0.5  
0.5  
1.5  
1.5  
1.5  
1.5  
2.0  
1.5  
2.0  
0.1  
0.1  
- -  
60  
60  
- -  
- -  
80  
80  
- -  
- -  
60  
60  
- -  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
15  
15  
60  
60  
- -  
80  
80  
- -  
80  
80  
- -  
450  
350  
350  
250  
200  
200  
20  
Shaded areas indicate Darlington.  
(6-December 2004)  
www.centralsemi.com  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE802STU FAIRCHILD

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE802T ISC

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 		4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington
MJE802T NJSEMI

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 		Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box
MJE803 SAVANTIC

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 		Silicon NPN Power Transistors
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 		SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJE803 FAIRCHILD

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 		Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
MJE803 MOTOROLA

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 		4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
MJE803 ONSEMI

获取价格

 		DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY

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