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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.15 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 80 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 | JEDEC-95代码： | TO-225AA |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| VCEsat-Max： | 3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE803G | ONSEMI |
获取价格 |
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| MJE803STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE803T | ISC |
获取价格 |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| MJE803T | MOSPEC |
获取价格 |
POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
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| MJE803T | CENTRAL |
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4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington |
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| MJE803T | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| MJE8500 | ISC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistor |
|
| MJE850016 | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| MJE850016A | MOTOROLA |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla |
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| MJE8500A | MOTOROLA |
获取价格 |
2.5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
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