MJE803

更新时间： 2024-11-25 22:33:07

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描述
SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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MJE803 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	40 W	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
VCEsat-Max：	2.8 V	Base Number Matches：	1

MJE803 数据手册

MJE802

MJE803

SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES

DESCRIPTION

The MJE802 and MJE803 are silicon

epitaxial-base NPN transistors in monolithic

Darlington configuration and are mounted in

Jedec SOT-32 plastic package.They are intended

for use in medium power linear and switching

applications.

SOT-32

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (IE = 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Base-Emitter Voltage (IC = 0)

Collector Current

0.1

I_B

Base Current

P_tot

T_stg

T_j

^oC

Total Power Dissipation at T_case≤ 25 C

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max Operating Junction Temperature

For PNP types voltage and current values are negative.

1/4

January 1997

12 3 4

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与MJE803相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJE803G	ONSEMI	获取价格	4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
MJE803STU	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE803T	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
MJE803T	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)
MJE803T	CENTRAL	获取价格	4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington
MJE803T	NJSEMI	获取价格	Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box
MJE8500	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
MJE850016	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
MJE850016A	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
MJE8500A	MOTOROLA	获取价格	2.5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB