MJE803

更新时间： 2024-11-02 22:33:07

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		晶体晶体管功率双极晶体管达林顿晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
4页	67K
描述
SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

MJE803 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	40 W	最大功率耗散 (Abs)：	40 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
VCEsat-Max：	2.8 V	Base Number Matches：	1

MJE803 数据手册

MJE802

MJE803

SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS

■

SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES

DESCRIPTION

The MJE802 and MJE803 are silicon

epitaxial-base NPN transistors in monolithic

Darlington configuration and are mounted in

Jedec SOT-32 plastic package.They are intended

for use in medium power linear and switching

applications.

SOT-32

INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol

Parameter

Value

Unit

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector-Base Voltage (IE = 0)

Collector-Emitter Voltage (I_B= 0)

Base-Emitter Voltage (IC = 0)

Collector Current

0.1

I_B

Base Current

P_tot

T_stg

T_j

^oC

Total Power Dissipation at T_case≤ 25 C

Storage Temperature

-65 to 150

150

Max Operating Junction Temperature

For PNP types voltage and current values are negative.

1/4

January 1997

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与MJE803相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJE803G	ONSEMI	获取价格	4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
MJE803STU	FAIRCHILD	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE803T	ISC	获取价格	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
MJE803T	MOSPEC	获取价格	POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)
MJE803T	CENTRAL	获取价格	4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington
MJE803T	NJSEMI	获取价格	Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box
MJE8500	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistor
MJE850016	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
MJE850016A	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 2.5A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Pla
MJE8500A	MOTOROLA	获取价格	2.5A, 700V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB