MJE800T

更新时间： 2025-09-20 22:33:07

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摩托罗拉 - MOTOROLA		晶体晶体管功率双极晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	259K
描述
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT

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MJE800T 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.13	其他特性：	LEADFORM OPTIONS ARE AVAILABLE
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	60 V	配置：	DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	50 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	1 MHz
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

MJE800T 数据手册

PACKAGE DIMENSIONS

–B–

NOTES:

1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI

Y14.5M, 1982.

2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.

INCHES

MILLIMETERS

–A–

DIM

MIN

MAX

0.435

0.305

0.105

0.026

0.130

MIN

10.80

7.50

2.42

0.51

2.93

MAX

11.04

7.74

2.66

0.66

3.30

0.425

0.295

0.095

0.020

0.115

0.094 BSC

2.39 BSC

0.050

0.015

0.575

0.095

0.025

0.655

1.27

0.39

14.61

2.41

0.63

16.63

TYP

0.148

0.045

0.025

0.145

0.040

0.158

0.055

0.035

0.155

–––

3.76

1.15

0.64

3.69

1.02

4.01

1.39

0.88

3.93

–––

0.25 (0.010)

D 2 PL

0.25 (0.010)

STYLE 1:

PIN 1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

CASE 77–08

TO–225AA TYPE

ISSUE V

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

1 2 3 456

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
MJE800T16	MOTOROLA	获取价格	4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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MJE800TA	MOTOROLA	获取价格	4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE800TAF	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
MJE800TAJ	MOTOROLA	获取价格	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti
MJE800TC	MOTOROLA	获取价格	暂无描述
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