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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE800TUA | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| MJE800TW | MOTOROLA |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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| MJE801 | FAIRCHILD |
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Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
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| MJE801 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| MJE801 | SAVANTIC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| MJE801 | CENTRAL |
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4A,60V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington |
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| MJE801 | NJSEMI |
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Trans Darlington NPN 60V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-126 |
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| MJE801LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE801STU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE801T | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
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