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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.56 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 配置： | DARLINGTON | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 标称过渡频率 (fT)： | 1 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MJE802_03 | STMICROELECTRONICS |
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SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTOR |
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| MJE802F | NJSEMI |
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Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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| MJE802G | ONSEMI |
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4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
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| MJE802G | ROCHESTER |
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4A, 80V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN |
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| MJE802LEADFREE | CENTRAL |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE802STU | FAIRCHILD |
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Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/ |
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| MJE802T | ISC |
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isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
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| MJE802T | MOSPEC |
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POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
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| MJE802T | CENTRAL |
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4A,80V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington |
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| MJE802T | NJSEMI |
获取价格 |
Trans Darlington NPN 80V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Box |
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