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MJE800

更新时间： 2025-09-20 22:33:07
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管功率双极晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 259K
描述
4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT

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MJE800 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.12
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：4 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-225AA
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：40 W
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：1 MHz
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

MJE800 数据手册

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PNP  
NPN  
MJE700, T Series  
MJE800, T Series  
6.0 k  
6.0 k  
V
= 3.0 V  
V
= 3.0 V  
CE  
T = 125  
°C  
CE  
T
= 125  
°
C
J
J
4.0 k  
3.0 k  
4.0 k  
3.0 k  
25°C  
2.0 k  
2.0 k  
25°C  
–55°C  
–55°C  
1.0 k  
800  
1.0 k  
800  
600  
600  
400  
300  
400  
300  
0.04 0.06  
0.1  
0.2  
0.4 0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
0.04 0.06  
0.1  
0.2  
0.4 0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
100  
4.0  
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
C
Figure 10. DC Current Gain  
3.4  
3.0  
2.6  
3.4  
T
= 25  
°
C
T = 25°C  
J
J
I
=
C
3.0  
0.5 A  
I
=
C
1.0 A  
2.0 A  
4.0 A  
1.0 A  
2.0 A  
4.0 A  
0.5 A  
2.6  
2.2  
1.8  
2.2  
1.8  
1.4  
1.4  
1.0  
0.6  
1.0  
0.6  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
2.0  
5.0  
10  
20  
50  
100  
0.1  
0.2  
0.5  
1.0  
I , BASE CURRENT (mA)  
B
2.0  
5.0  
10  
20  
50  
I
, BASE CURRENT (mA)  
B
Figure 11. Collector Saturation Region  
2.2  
1.8  
1.4  
2.2  
T
= 25°C  
T = 25°C  
J
J
1.8  
1.4  
V
@ I /I = 250  
C B  
V
@ I /I = 250  
BE(sat)  
BE(sat) C B  
V
@ V = 3.0 V  
CE  
BE  
V
@ V = 3.0 V  
CE  
BE  
1.0  
0.6  
0.2  
1.0  
0.6  
0.2  
V
@ I /I = 250  
C B  
V
@ I /I = 250  
CE(sat)  
CE(sat)  
C B  
0.04 0.06  
0.1  
0.2  
0.4 0.6  
1.0  
2.0  
4.0  
0.04 0.06  
0.1  
0.2  
0.4 0.6  
1.0  
2.0  
I
, COLLECTOR CURRENT (AMP)  
I , COLLECTOR CURRENT (AMP)  
C
C
Figure 12. “On” Voltages  
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data  
123456

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与MJE800相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MJE800G ONSEMI

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 		4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
MJE800G ROCHESTER

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 		4A, 60V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225, LEAD FREE, PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
MJE800LEADFREE CENTRAL

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 		Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/
MJE800STU FAIRCHILD

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 		NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor, TO-126 (SOT32) UNIFIED DRAWING (TSTU, TSSTU,
MJE800STU ONSEMI

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 		4.0 A, 60 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor, 1920-TUBE
MJE800T MOTOROLA

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MJE800T CENTRAL

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 		4A,60V Through-Hole Transistor-Bipolar Power (>1A) NPN Darlington
MJE800T MOSPEC

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 		POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)
MJE800T ISC

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 		isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
MJE800T ONSEMI

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 		DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY

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