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MJD117

更新时间： 2024-11-03 22:30:07
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安森美 - ONSEMI 晶体晶体管功率双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
8页 151K
描述
Complementary Darlington Power Transistors

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MJD117 技术参数

是否无铅： 含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.06Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2 A基于收集器的最大容量：200 pF
集电极-发射极最大电压：100 V配置：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：240极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：1.75 W最大功率耗散 (Abs)：20 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：25 MHzVCEsat-Max：3 V
Base Number Matches：1

MJD117 数据手册

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MJD112 (NPN)  
MJD117 (PNP)  
Preferred Device  
Complementary Darlington  
Power Transistors  
DPAK For Surface Mount Applications  
http://onsemi.com  
Designed for general purpose power and switching such as output or  
driver stages in applications such as switching regulators, converters,  
and power amplifiers.  
SILICON  
POWER TRANSISTORS  
2 AMPERES  
Features  
• Pb−Free Packages are Available  
100 VOLTS  
• Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves  
(No Suffix)  
20 WATTS  
• Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“−1” Suffix)  
• Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel  
(“T4” and “RL” Suffix)  
MARKING  
DIAGRAMS  
• Electrically Similar to Popular TIP31 and TIP32 Series  
4
DPAK  
CASE 369C  
YWW  
J11x  
2
1
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Symbol  
Max  
100  
100  
5
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
V
CEO  
4
V
CB  
DPAK−3  
CASE 369D  
YWW  
J11x  
V
EB  
I
C
2
4
Collector Current − Continuous  
Peak  
1
2
3
Base Current  
I
B
50  
mAdc  
Y
WW  
x
= Year  
= Work Week  
= 2 or 7  
P
D
20  
0.16  
W
W/°C  
Total Power Dissipation @ T = 25°C  
C
Derate above 25°C  
P
D
1.75  
0.014  
Total Power Dissipation* @ T = 25°C  
W
W/°C  
A
Derate above 25°C  
Operating and Storage Junction Temperature  
Range  
T , T  
−65 to  
+150  
°C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
J
stg  
dimensions section on page 2 of this data sheet.  
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.  
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not  
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits  
are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur  
and reliability may be affected.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
6.25  
71.4  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction−to−Case  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient*  
R
q
JC  
JA  
R
q
*These ratings are applicable when surface mounted on the minimum pad sizes  
recommended.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2004  
1
Publication Order Number:  
August, 2004 − Rev. 5  
MJD112/D  
12345678

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MJD117 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MJD117TF ONSEMI

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 2.0 A, 100 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor, 2000-REEL
MJD117T4G ONSEMI

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 		100V,2A,Medium Power PNP Bipolar Transistor
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MJD117-001G ONSEMI

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 		2A, 100V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, LEAD FREE, CASE 369D-01, DPAK-3
MJD117-1G ONSEMI

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 		Complementary Darlington Power Transistors
MJD117G ONSEMI

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MJD117L KEC

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MJD117PNP CDIL

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 		COMPLEMENTARY DARLINGTON PLASTIC POWER TRANSISTORS

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