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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.84 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.8 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 27 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFX35V9095-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX35V9095-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX35V9500 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME |
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| MGFX35V9500-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX35V9500-51 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX36V0717 | MITSUBISHI |
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10.7 - 11.7GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHD GaAs FET |
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| MGFX36V0717_11 | MITSUBISHI |
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10.7-11.7 GHz BAND / 4W |
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| MGFX36V0717-01 | MITSUBISHI |
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RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX38V0005 | MITSUBISHI |
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Transistor |
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| MGFX38V0510 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME |
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