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MGFX35V9095-51

更新时间： 2024-09-09 20:07:43
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 局域网放大器晶体管
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6页 283K
描述
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET

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MGFX35V9095-51 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.84
外壳连接：SOURCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最大漏极电流 (ID)：2.8 AFET 技术：JUNCTION
最高频带：X BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：7.5 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDEBase Number Matches：1

MGFX35V9095-51 数据手册

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MGFX35V9500 MITSUBISHI

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 		RF Power Field-Effect Transistor, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME
MGFX35V9500-01 MITSUBISHI

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction
MGFX35V9500-51 MITSUBISHI

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction
MGFX36V0717 MITSUBISHI

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 		10.7 - 11.7GHz BAND 4W INTERNALLY MATCHD GaAs FET
MGFX36V0717_11 MITSUBISHI

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 		10.7-11.7 GHz BAND / 4W
MGFX36V0717-01 MITSUBISHI

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction
MGFX38V0005 MITSUBISHI

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 		Transistor
MGFX38V0510 MITSUBISHI

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 		RF Power Field-Effect Transistor, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME
MGFX38V0510-01 MITSUBISHI

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 		RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction
MGFX38V0510-51 MITSUBISHI

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