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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 2页 | 129K |  |
| 描述 | ||
| Transistor | ||
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5.6 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高工作温度： | 175 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 43 W | 子类别： | Other Transistors |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGFX38V0510 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME |
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| MGFX38V0510-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX38V0510-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX38V1722 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERM |
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| MGFX38V1722-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junctio |
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| MGFX38V1722-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX38V9095 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET, HERME |
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| MGFX38V9095-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX38V9095-51 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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| MGFX38V9500-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction |
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