5秒后页面跳转
| 品牌 | Logo | 应用领域 |
| 三菱 - MITSUBISHI |  |
/ |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 12页 | 757K |  |
| 描述 | ||
| RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, HERMETIC SEALED, METAL CERAMIC PACKAGE-4 | ||
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MGF4317D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
| MGF4318D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
| MGF4318E-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
| MGF4318E-30 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
| MGF4319 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Super Low Noise InGaAs HEMT |
|
| MGF4319F | MITSUBISHI |
获取价格 |
Transistor |
|
| MGF4319F-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
| MGF4319G | MITSUBISHI |
获取价格 |
Super Low Noise InGaAs HEMT |
|
| MGF431XG | MITSUBISHI |
获取价格 |
Super Low Noise InGaAs HEMT |
|
| MGF4416D-01 | MITSUBISHI |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, H |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
