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MDD56-18N1B

更新时间： 2024-11-17 22:41:03
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 131K
描述
Diode Modules

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MDD56-18N1B 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-240AA
包装说明：TO-240AA, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.74
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.48 V
JEDEC-95代码：TO-240AAJESD-30 代码：R-XUFM-X3
最大非重复峰值正向电流：1400 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：71 A
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1800 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

MDD56-18N1B 数据手册

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MDD 56  
IFRMS = 2x 150 A  
Diode Modules  
IFAVM = 2x 95 A  
VRRM = 800-1800 V  
3
1
2
3
TO-240 AA  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
2
900  
1300  
1500  
1700  
1900  
800  
1200  
1400  
1600  
1800  
MDD 56-08N1 B  
MDD 56-12N1 B  
MDD 56-14N1 B  
MDD 56-16N1 B  
MDD 56-18N1 B  
Features  
●
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
International standard package  
JEDEC TO-240 AA  
Direct copper bonded Al2O3 -ceramic  
base plate  
Planar passivated chips  
Isolation voltage 3600 V~  
UL registered, E 72873  
IFRMS  
IFAVM  
TVJ = TVJM  
TC = 75°C; 180° sine  
TC = 100°C; 180° sine  
150  
95  
71  
A
A
A
●
IFSM  
TVJ = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1400  
1650  
A
A
●
●
●
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
1200  
1400  
A
A
òi2dt  
TVJ = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
9800  
11300  
A2s  
Applications  
A2s  
●
Supplies for DC power equipment  
DC supply for PWM inverter  
Field supply for DC motors  
Battery DC power supplies  
TVJ = TVJM  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
7200  
8100  
A2s  
A2s  
●
●
●
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+150  
150  
-40...+125  
°C  
°C  
°C  
Advantages  
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
t = 1 min  
t = 1 s  
3000  
3600  
V~  
V~  
●
Space and weight savings  
Simple mounting  
Improved temperature and power  
●
IISOL £ 1 mA  
●
Md  
Mounting torque (M5)  
Terminal connection torque (M5)  
2.5-4/22-35 Nm/lb.in.  
2.5-4/22-35 Nm/lb.in.  
cycling  
Reduced protection circuits  
●
Weight  
Typical including screws  
90  
g
Symbol  
IR  
Test Conditions  
Characteristic Values  
Dimensions in mm (1 mm = 0.0394")  
TVJ = TVJM; VR = VRRM  
10 mA  
VF  
IF = 200 A; TVJ = 25°C  
1.48  
V
VT0  
rT  
For power-loss calculations only  
TVJ = TVJM  
0.8  
3
V
mW  
QS  
IRM  
TVJ = 125°C; IF = 50 A, -di/dt = 3 A/ms  
100  
24  
mC  
A
RthJC  
per diode; DC current  
per module  
per diode; DC current  
per module  
0.51 K/W  
0.255 K/W  
0.71 K/W  
0.355 K/W  
other values  
see Fig. 6/7  
RthJK  
dS  
dA  
a
Creepage distance on surface  
Strike distance through air  
Maximum allowable acceleration  
12.7 mm  
9.6 mm  
50 m/s2  
Data according to IEC 60747 and refer to a single diode unless otherwise stated.  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
© 2000 IXYS All rights reserved  
1 - 3  
123

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与MDD56-18N1B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MDD5N40 MGCHIP

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 		N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6ohm
MDD5N40RH MGCHIP

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 		N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6(ohm)
MDD5N50 MGCHIP

获取价格

 		N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4(ohm)
MDD5N50FRH MGCHIP

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 		DPAK
MDD5N50GRH MGCHIP

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MDD5N50RH MGCHIP

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 		N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4(ohm)
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