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MD02C900UK

更新时间： 2024-09-20 14:55:15

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小信号金氧半電晶體

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MD02C900UK 数据手册

MD02C900UK

Complementary N/P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• High speed switch

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 2

Classification Voltage Range(V)

Q1: 1.Gate 5.Source 6.Drain

Q2: 3.Gate 2.Source 4.Drain

SOT-26 Plastic Package

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified) (Q1/Q2)

Value

Unit

Symbol

Parameter

-20

± 10

-1

V_DS

V_GS

I_D

± 10

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

-2

Power Dissipation ²⁾

P_D

1.1

℃

T_J, T_stg

- 55 to + 150

Operating Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

114

Unit

℃/W

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate in still air.

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Dated: 20/07/2023 Rev:03

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