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MD02N038U

更新时间： 2024-11-09 14:54:39

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小信号金氧半電晶體

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MD02N038U 数据手册

MD02N038U

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Extremely low threshold voltage

Applications

1.Drain 2. Drain 3. Gate

4.Source 5. Drain 6. Drain

SOT-26 Plastic Package

• Portable appliances

• Battery management

• Low power DC to DC converter

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

I_D

± 12

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

1.5

Power Dissipation ²⁾

P_D

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

Steady State

℃

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 28/03/2023 Rev:01

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