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MD02D055U

更新时间： 2024-11-11 14:51:55

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小信号金氧半電晶體

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MD02D055U 数据手册

MD02D055U

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

Q1: 1.Gate 5.Source 6.Drain

Q2: 3.Gate 2.Source 4.Drain

SOT-26 Plastic Package

Application

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃ unless otherwise specified) (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

V_DS

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_GS

± 12

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Total Power Dissipation ²⁾

P_tot

960

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics (Q1/Q2)

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

130

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated: 29/05/2023 Rev:01

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