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MD02P025US

更新时间： 2024-09-20 14:53:59

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小信号金氧半電晶體

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MD02P025US 数据手册

MD02P025US

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Surface-mounted package

Application

1. Drain 2. Drain 3. Gate

4. Source 5. Drain 6. Drain

SOT-26 Plastic Package

• DC/DC Converter

• Boost Converter

• Load Switch

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Symbol

-V_DS

V_GS

-I_D

Value

Unit

Parameter

Drain-Source Voltage

± 12

Gate-Source Voltage

Drain Current

t ≤ 10 s

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

Power Dissipation ²⁾

-I_DM

P_tot

℃

T_J

150

Operating Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

62.5

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,limited by T_J(MAX)

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

℃/W

1 / 6

Dated: 22/04/2022 Rev:01

12 3 4 5 6

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