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MD02D125UK

更新时间： 2024-09-20 14:55:07

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小信号金氧半電晶體

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MD02D125UK 数据手册

MD02D125UK

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features

• Extremely low threshold voltage

• Advanced trench cell design

• Built-in G-S Protection Diode

• Typical ESD Protection HBM Class 1A

Classification

Voltage Range(V)

Q1: 1.Gate 5.Source 6.Drain

Q2: 3.Gate 2.Source 4.Drain

SOT-26 Plastic Package

< 125

125 to < 250

250 to < 500

500 to < 1000

1000 to < 2000

2000 to < 4000

4000 to < 8000

≥ 8000

Applications

• Portable appliances

• Battery management

Absolute Maximum Ratings(at T_a= 25℃ unless otherwise specified)(Q1/Q2)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Drain Current

V_DS

V_GS

± 12

I_D

Peak Drain Current, Pulsed ¹⁾

I_DM

Total Power Dissipation ²⁾

P_tot

900

℃

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

- 55 to + 150

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Max.

139

Unit

Thermal Resistance from Junction to Ambient ²⁾

¹⁾Pulse Test: Pulse Width ≤ 100 μs, Duty Cycle ≤ 2%,Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T_J(MAX)=150°C.

℃/W

²⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, 2oz copper, with 1-inch square copper plate.

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Dated:06/03/2023 Rev:01

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