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MCR12DG PDF预览

MCR12DG

更新时间： 2024-11-21 14:57:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 电机
页数 文件大小 规格书
5页 519K
描述
该硅控整流器主要用于半波交流控制应用，例如电机控制、加热控制与电源；或用于需要半波硅门控设备的应用。 功能与特色:

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MCR12DG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：2.13
Is Samacsys：N外壳连接：ANODE
配置：SINGLE最大直流栅极触发电流：20 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
断态重复峰值电压：400 V重复峰值反向电压：400 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

MCR12DG 数据手册

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Thyristors Datasheet  
MCR12DG, MCR12MG, MCR12NG  
Silicon Controlled Rectifiers — 400V - 800V  
Pb  
Description  
Designed primarily for half-wave ac control applications, such as  
motor controls, heating controls and power supplies; or wherever  
half−wave silicon gate−controlled, solid−state devices are needed.  
Features  
■ Blocking Voltage to 800 Volts  
■ Minimum and Maximum  
Values of IGT, VGT an IH  
Specified for Ease of Design  
■ On−State Current Rating of  
12 Amperes RMS at 80°C  
■ High Immunity to dv/dt − 100  
V/μsec Minimum at 125°C  
■ High Surge Current Capability  
− 100 Amperes  
■ These are Pb−Free devices  
■ Rugged, Economical  
TO−220AB Package  
■ Glass Passivated Junctions  
for Reliability and Uniformity  
Additional Information  
Pin Out  
Resources  
Accessories  
Samples  
Functional Diagram  
CASE 221A  
STYLE 4  
1
2
© 2021 Littelfuse, Inc.  
Specifications are subject to change without notice.  
1
Revised: GD. 05/24/21  
12345

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MCR12DG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
S4012RTP LITTELFUSE

完全替代

 Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,
TIC126D TI

功能相似

 12A, 400V, SCR

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 800V V(DRM)

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