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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 关态电压最小值的临界上升速率： | 2 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压： | 1 V |
| 最大维持电流： | 6 mA | JESD-609代码： | e0 |
| 最大漏电流： | 0.01 mA | 通态非重复峰值电流： | 100 A |
| 最大通态电压： | 2.1 V | 最大通态电流： | 12000 A |
| 最高工作温度： | 110 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 断态重复峰值电压： | 600 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCR12DSMT4 | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12DSMT4G | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12DSN | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifiers |
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| MCR12DSN | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12DSN-001 | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12DSN-001G | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12DSN1 | MOTOROLA |
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Silicon Controlled Rectifier, 12000mA I(T), 800V V(DRM) |
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| MCR12DSN-1 | ONSEMI |
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暂无描述 |
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| MCR12DSN-1G | ONSEMI |
获取价格 |
Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
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| MCR12DSNT4 | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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