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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 关态电压最小值的临界上升速率： | 2 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大维持电流： | 6 mA |
| JESD-609代码： | e0 | 最大漏电流： | 0.01 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 100 A | 最大通态电压： | 2.1 V |
| 最大通态电流： | 12000 A | 最高工作温度： | 110 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MCR12DSN-1 | ONSEMI |
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暂无描述 |
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| MCR12DSN-1G | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers |
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| MCR12DSNT4 | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12DSNT4G | ONSEMI |
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Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12L | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12LD | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12LDG | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12LM | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12LMG | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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| MCR12LN | ONSEMI |
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Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors |
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