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MCR12N PDF预览

MCR12N

更新时间： 2024-09-15 22:46:19
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 触发装置可控硅整流器
页数 文件大小 规格书
8页 96K
描述
Silicon Controlled Rectifiers

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MCR12N 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：CASE 221A-09, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
HTS代码：8541.30.00.80风险等级：5.03
Is Samacsys：N外壳连接：ANODE
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：50 V/us
最大直流栅极触发电流：20 mA最大直流栅极触发电压：1 V
最大维持电流：40 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
最大漏电流：2 mA通态非重复峰值电流：100 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：12000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：240认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：12 A断态重复峰值电压：800 V
重复峰值反向电压：800 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

MCR12N 数据手册

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Preferred Device  
Reverse Blocking Thyristors  
Designed primarily for half-wave ac control applications, such as  
motor controls, heating controls, and power supplies; or wherever  
half–wave silicon gate–controlled devices are needed.  
http://onsemi.com  
• Blocking Voltage to 800 Volts  
• On–State Current Rating of 12 Amperes RMS at 80°C  
• High Surge Current Capability — 100 Amperes  
• Rugged, Economical TO220AB Package  
SCRs  
12 AMPERES RMS  
400 thru 800 VOLTS  
• Glass Passivated Junctions for Reliability and Uniformity  
• Minimum and Maximum Values of IGT, VGT an IH Specified for  
Ease of Design  
G
A
K
• High Immunity to dv/dt — 100 V/µsec Minimum at 125°C  
• Device Marking: Logo, Device Type, e.g., MCR12D, Date Code  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
4
Rating  
Symbol  
Value  
Unit  
(1)  
Peak Repetitive Off–State Voltage  
(T = –40 to 125°C, Sine Wave,  
J
V
Volts  
DRM,  
V
RRM  
50 to 60 Hz, Gate Open)  
400  
600  
800  
MCR12D  
MCR12M  
MCR12N  
1
2
3
On-State RMS Current  
(180° Conduction Angles; T = 80°C)  
I
12  
A
A
T(RMS)  
TO–220AB  
CASE 221A  
STYLE 3  
C
Peak Non-repetitive Surge Current  
(1/2 Cycle, Sine Wave 60 Hz,  
I
100  
TSM  
T = 125°C)  
J
PIN ASSIGNMENT  
Cathode  
2
2
Circuit Fusing Consideration  
(t = 8.33 ms)  
I t  
41  
5.0  
0.5  
2.0  
A sec  
1
2
3
4
Anode  
Forward Peak Gate Power  
(Pulse Width ≤ 1.0 µs, T = 80°C)  
P
Watts  
Watts  
A
GM  
Gate  
C
Anode  
Forward Average Gate Power  
(t = 8.3 ms, T = 80°C)  
P
G(AV)  
C
Forward Peak Gate Current  
(Pulse Width ≤ 1.0 µs, T = 80°C)  
I
GM  
ORDERING INFORMATION  
C
Device  
MCR12D  
MCR12M  
MCR12N  
Package  
TO220AB  
TO220AB  
TO220AB  
Shipping  
Operating Junction Temperature Range  
T
–40 to  
+125  
°C  
J
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
50 Units/Rail  
Storage Temperature Range  
T
stg  
–40 to  
+150  
°C  
(1) V  
DRM  
and V for all types can be applied on a continuous basis. Ratings  
RRM  
apply for zero or negative gate voltage; positive gate voltage shall not be  
applied concurrent with negative potential on the anode. Blocking voltages  
shall not be tested with a constant current source such that the voltage  
ratings of the devices are exceeded.  
Preferred devices are recommended choices for future use  
and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 1999  
1
Publication Order Number:  
December, 1999 – Rev. 2  
MCR12/D  
12345678

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MCR12N 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MCR12NG ONSEMI

完全替代

 Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors

与MCR12N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
MCR12N-AF MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR12N-AJ MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR12N-AK MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR12N-AN MOTOROLA

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 		12A, 800V, SCR, TO-220AB
MCR12N-AS MOTOROLA

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 		12A, 800V, SCR, TO-220AB
MCR12N-AU MOTOROLA

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 		12A, 800V, SCR, TO-220AB
MCR12N-BA MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR12N-BC MOTOROLA

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 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR12N-BD MOTOROLA

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 12A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB
MCR12N-BG MOTOROLA

获取价格

 		12A, 800V, SCR, TO-220AB

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