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MCH3476-TL-W

更新时间： 2024-11-01 19:57:35
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 613K
描述
Single N-Channel Power MOSFET 20V, 2A, 125mΩ, 3000-REEL

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MCH3476-TL-W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SC-70FL, 3 PIN
Reach Compliance Code：compliantFactory Lead Time：1 week
风险等级：5.72配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：2 A
最大漏源导通电阻：0.125 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-F3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

MCH3476-TL-W 数据手册

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MCH3476  
Power MOSFET  
www.onsemi.com  
20V, 125mΩ, 2A, Single N-Channel  
Features  
• Low On-Resistance  
• 1.8V Drive  
• ESD Diode-Protected Gate  
• Pb-Free, Halogen Free and RoHS Compliance  
V
R
(on) Max  
I
DSS  
DS  
D Max  
2A  
125mΩ@ 4.5V  
190mΩ@ 2.5V  
310mΩ@ 1.8V  
20V  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25°C  
Electrical Connection  
N-Channel  
Unit  
V
Parameter  
Symbol  
Value  
3
Drain to Source Voltage  
V
DSS  
20  
12  
2
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
GSS  
V
I
A
D
1
Drain Current (Pulse)  
1 : Gate  
2 : Source  
3 : Drain  
A
I
8
DP  
PW≤10μs, duty cycle≤1%  
Power Dissipation  
When mounted on ceramic substrate  
(900mm2  
× 0.8mm)  
P
D
0.8  
W
2
°C  
°C  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
150  
Tstg  
−55 to +150  
Packing Type : TL  
Marking  
Thermal Resistance Ratings  
FH  
Parameter  
Symbol  
Value  
156.2  
Unit  
Junction to Ambient  
TL  
°C/W  
R
When mounted on ceramic substrate  
(900mm2  
× 0.8mm)  
θJA  
FH : Device Code  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed,  
damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 5 of this data sheet.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
March 2015 - Rev. 2  
1
Publication Order Number :  
MCH3476/D  
12345

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