5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MODULE | 包装说明： | DIMM, DIMM144,32 |
| 针数： | 144 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.32 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 6 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 125 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-XDMA-N144 |
| 内存密度： | 603979776 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM MODULE |
| 内存宽度： | 72 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 144 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 8MX72 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIMM |
| 封装等效代码： | DIMM144,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.005 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 1.15 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| MC-458CA725LFA-A10B | RENESAS |
获取价格 |
MEMORY MODULE,SDRAM,8MX72,CMOS,DIMM,168PIN,PLASTIC |
|
| MC-458CA726 | NEC |
获取价格 |
8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE |
|
| MC-458CA726 | ELPIDA |
获取价格 |
8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE |
|
| MC-458CA726EFB-A10 | NEC |
获取价格 |
8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE |
|
| MC-458CA726EFB-A10 | ELPIDA |
获取价格 |
8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE |
|
| MC-458CA726EFB-A80 | ELPIDA |
获取价格 |
8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE |
|
| MC-458CA726EFB-A80 | NEC |
获取价格 |
8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE |
|
| MC-458CA726F-A80 | NEC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, DIMM-168 |
|
| MC-458CA726LFA-A10 | NEC |
获取价格 |
Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, MOS, DIMM-168 |
|
| MC-458CA726PFB-A10 | NEC |
获取价格 |
8M-WORD BY 72-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULE UNBUFFERED TYPE |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
